DMN10H120SE-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-223-4

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

110 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

10 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

DMN10

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

2.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.8 ns

Unidad de peso:

0.003951 oz

Tags

DMN10H12, DMN10H1, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN