CSD18511KTTT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

194 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

64 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

188 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Serie:

CSD18511KTT

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

249 S

Otoño:

3 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

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