TH58BVG2S3HBAI6

TH58BVG2S3HBAI6
Mfr. #:
TH58BVG2S3HBAI6
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TH58BVG2S3HBAI6 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
VFBGA-67
Tamaño de la memoria:
4 Gbit
Tipo de interfaz:
Parallel
Organización:
512 M x 8
Ancho del bus de datos:
8 bit
Voltaje de suministro - Min:
2.7 V
Voltaje de suministro - Máx:
3.6 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
NAND
Marca:
Memoria Toshiba
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
NAND Flash
Cantidad de paquete de fábrica:
338
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
TH58BVG2S3HB, TH58BVG2, TH58BV, TH58B, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Imagen Parte # Descripción
TH58BVG2S3HTA00

Mfr.#: TH58BVG2S3HTA00

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NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG2S3HTAI0

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NAND Flash 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG2S3HBAI4

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NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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EEPROM 8 Gbit CMOS NAND EEPROM
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EEPROM 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
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Nuevo y original
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Nuevo y original
TH58BVG3S0HTAI0-ND

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Disponibilidad
Valores:
Available
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676
3,82 US$
2 582,32 US$
1014
3,66 US$
3 711,24 US$
2704
3,43 US$
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