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TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4
Mfr. #:
TH58BVG2S3HBAI4
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
NAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TH58BVG2S3HBAI4 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TFBGA-63
Tamaño de la memoria:
4 Gbit
Tipo de interfaz:
Parallel
Organización:
512 M x 8
Tipo de tiempo:
Sincrónico
Ancho del bus de datos:
8 bit
Voltaje de suministro - Min:
2.7 V
Voltaje de suministro - Máx:
3.6 V
Corriente de suministro - Máx .:
30 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
NAND
Producto:
NAND Flash
Velocidad:
25 ns
Arquitectura:
Borrar bloque
Marca:
Memoria Toshiba
Frecuencia máxima de reloj:
-
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
NAND Flash
Cantidad de paquete de fábrica:
210
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
TH58BVG2S3HB, TH58BVG2, TH58BV, TH58B, TH58, TH5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
    O***v
    O***v
    RU

    +

    2019-07-15
    I***o
    I***o
    RU

    Good item, long delivery.

    2019-07-31
***et
4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EEPROM) 2K PAGE
***ronik
BENAND-Flash 512Mx8 3.3V BGA63
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TH58BVG2S3HBAI4
DISTI # TH58BVG2S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$5.7350
TH58BVG2S3HBAI4
DISTI # TH58BVG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic Components4GB SLC BENAND24NM BGA9X11(EEPROM) 2K PAGE - Trays (Alt: TH58BVG2S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$4.7900
  • 420:$4.6900
  • 840:$4.5900
  • 1260:$4.5900
  • 2100:$4.3900
TH58BVG2S3HBAI4
DISTI # 757-TH58BVG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		0
  • 210:$5.7400
  • 420:$5.2800
  • 630:$4.8100
  • 1050:$4.1900
Imagen Parte # Descripción
TH58BVG2S3HTAI0

Mfr.#: TH58BVG2S3HTAI0

OMO.#: OMO-TH58BVG2S3HTAI0

 NAND Flash 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG3S0HTA00

Mfr.#: TH58BVG3S0HTA00

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTA00

 NAND Flash 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG3S0HTAI0

Mfr.#: TH58BVG3S0HTAI0

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTAI0

 NAND Flash 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG3S0HTA00

Mfr.#: TH58BVG3S0HTA00

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTA00-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 8 Gbit CMOS NAND EEPROM
TH58BVG2S3HTAI0

Mfr.#: TH58BVG2S3HTAI0

OMO.#: OMO-TH58BVG2S3HTAI0-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 EEPROM 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TH58BVG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58BVG2S3HBAI4

OMO.#: OMO-TH58BVG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE Benand
TH58BVG3S0HTAI0

Mfr.#: TH58BVG3S0HTAI0

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTAI0-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 Flash Memory 8 GBIT CMOS NAND EEPROM
TH58BVG2S3HTAIO

Mfr.#: TH58BVG2S3HTAIO

OMO.#: OMO-TH58BVG2S3HTAIO-1190

 Nuevo y original
TH58BVG3S0HTA00-ND

Mfr.#: TH58BVG3S0HTA00-ND

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTA00-ND-1190

 Nuevo y original
TH58BVG3S0HTAI0-ND

Mfr.#: TH58BVG3S0HTAI0-ND

OMO.#: OMO-TH58BVG3S0HTAI0-ND-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
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Precio unitario
Ext. Precio
1
5,34 US$
5,34 US$
10
4,87 US$
48,70 US$
25
4,78 US$
119,50 US$
50
4,75 US$
237,50 US$
100
4,26 US$
426,00 US$
250
4,24 US$
1 060,00 US$
500
3,98 US$
1 990,00 US$
1000
3,81 US$
3 810,00 US$
2500
3,56 US$
8 900,00 US$
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