CGHV96050F1

CGHV96050F1
Mfr. #:
CGHV96050F1
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CGHV96050F1 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CGHV96050F1 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Qorvo
Categoria de producto:
Transistores RF JFET
RoHS:
Y
Tipo de transistor:
HEMT
Tecnología:
GaN SiC
Ganar:
21.8 dB
Polaridad del transistor:
Canal N
Id - Corriente de drenaje continua:
1.7 A
Potencia de salida:
178 W
Voltaje máximo de la puerta de drenaje:
65 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Pd - Disipación de energía:
67 W
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
DFN-6
Embalaje:
Carrete
Solicitud:
Radar militar, Jammers, Instrumentación de prueba, Amplificadores de banda ancha o banda estrecha, Móvil terrestre y Milit
Configuración:
Desagüe triple simple
Frecuencia de operación:
1.2 GHz to 2.7 GHz
Marca:
Qorvo
Kit de desarrollo:
QPD1013EVB01
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
Transistores RF JFET
Cantidad de paquete de fábrica:
100
Subcategoría:
Transistores
Tags
CGHV960, CGHV9, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***i-Key
FET RF 100V 9.6GHZ 440210
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CGHV96050F1
DISTI # CGHV96050F1-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 440210
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
12In Stock
  • 1:$458.6800
CGHV96050F1-TB
DISTI # CGHV96050F1-TB-ND
WolfspeedBOARD TEST FIXTURE FOR CGHV96050
RoHS: Compliant
Min Qty: 2
Container: Bulk
Temporarily Out of Stock
  • 2:$550.0000
CGHV96050F1
DISTI # 941-CGHV96050F1
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
RoHS: Compliant
50
  • 1:$458.6800
CGHV96050F1-TB
DISTI # 941-CGHV96050F1-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
1
  • 1:$550.0000
Imagen Parte # Descripción
CGHV96100F2

Mfr.#: CGHV96100F2

OMO.#: OMO-CGHV96100F2

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt
CGHV96050F1

Mfr.#: CGHV96050F1

OMO.#: OMO-CGHV96050F1

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
CGHV96050F1-TB

Mfr.#: CGHV96050F1-TB

OMO.#: OMO-CGHV96050F1-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGHV96100F2-TB

Mfr.#: CGHV96100F2-TB

OMO.#: OMO-CGHV96100F2-TB

RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
CGHV96050F1-TB

Mfr.#: CGHV96050F1-TB

OMO.#: OMO-CGHV96050F1-TB-WOLFSPEED

BOARD TEST FIXTURE FOR CGHV96050
CGHV96050F2-TB

Mfr.#: CGHV96050F2-TB

OMO.#: OMO-CGHV96050F2-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV96050F2
CGHV96100F2-TB

Mfr.#: CGHV96100F2-TB

OMO.#: OMO-CGHV96100F2-TB-WOLFSPEED

TEST FIXTURE FOR CGHV96100F2
CGHV96100F2

Mfr.#: CGHV96100F2

OMO.#: OMO-CGHV96100F2-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 7.9-9.6GHz 100W GaN Gain 12.4dB 50OHM
CGHV96050F2

Mfr.#: CGHV96050F2

OMO.#: OMO-CGHV96050F2-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 7.9-9.6GHz 50W GaN Gain 11.dB typ.
CGHV96050F1

Mfr.#: CGHV96050F1

OMO.#: OMO-CGHV96050F1-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 7.9-9.6GHz 50W 50ohm Gain 15.6dB GaN HEMT
Disponibilidad
Valores:
50
En orden:
2033
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
458,68 US$
458,68 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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