SIE850DF-T1-E3

SIE850DF-T1-E3
Mfr. #:
SIE850DF-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SIE850DF-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
SIE850DF-T1-E3 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay / Siliconix
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SIE850DF-E3
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
PolarPAK-10
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
5.2 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 50 C
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
12 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
35 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
2.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Modo de canal
Mejora
Tags
SIE85, SIE8, SIE
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Packaging Boxes
N-Channel PolarPAK® Power MOSFETs
Vishay Siliconix 20V to 75V PolarPAK® Power MOSFETs combine the thermal benefits of a double-sided cooling package with on-resistance down to as low as 1.4mΩ. The double-sided cooling provided by these Vishay Siliconix PolarPAK® Power MOSFETs gives designers a way to reduce system size and cost through better MOSFET thermal performance. These Vishay Siliconix PolarPAK® MOSFETs share the same footprint area as the standard SO-8 yet are twice as thin with a height profile of just 0.8 mm.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SIE850DF-T1-E3
DISTI # 781-SIE850DF-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
RoHS: Compliant
0
  • 3000:$1.7500
Imagen Parte # Descripción
SIE850DF-T1-GE3

Mfr.#: SIE850DF-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-GE3

MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-E3

Mfr.#: SIE850DF-T1-E3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-E3

MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-E3

Mfr.#: SIE850DF-T1-E3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-E3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
SIE850DF-T1-GE3

Mfr.#: SIE850DF-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIE850DF-T1-GE3-317

RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 164A 104W 2.5mohm @ 10V
Disponibilidad
Valores:
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1
2,61 US$
2,61 US$
10
2,48 US$
24,79 US$
100
2,35 US$
234,90 US$
500
2,22 US$
1 109,25 US$
1000
2,09 US$
2 088,00 US$
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