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TC58NYG2S3EBAI5

TC58NYG2S3EBAI5
Mfr. #:
TC58NYG2S3EBAI5
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
NAND Flash 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TC58NYG2S3EBAI5 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
TFBGA-63
Tamaño de la memoria:
4 Gbit
Tipo de interfaz:
Parallel
Organización:
512 M x 8
Tipo de tiempo:
Sincrónico
Ancho del bus de datos:
8 bit
Voltaje de suministro - Min:
1.7 V
Voltaje de suministro - Máx:
1.95 V
Corriente de suministro - Máx .:
30 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
NAND
Producto:
NAND Flash
Velocidad:
25 ns
Arquitectura:
Borrar bloque
Marca:
Memoria Toshiba
Frecuencia máxima de reloj:
-
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
NAND Flash
Cantidad de paquete de fábrica:
180
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
TC58NYG2S3, TC58NYG2, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
NAND Flash Serial 1.8V 4G-bit 512M x 8 63-Pin TFBGA
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TC58NYG2S3EBAI5
DISTI # TC58NYG2S3EBAI5		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 1.8V 4G-bit 512M x 8 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NYG2S3EBAI5)
RoHS: Compliant
Min Qty: 180
Container: Tray		Americas - 0
    TC58NYG2S3EBAI5
    DISTI # 757-TC58NYG2S3EBAI5    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		0
      Imagen Parte # Descripción
      TC58NYG2S0HBAI4

      Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI4

      OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI4

      		 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
      TC58NYG0S3HBAI6

      Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

      OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6

      		 NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
      TC58NYG2S3EBAI5

      Mfr.#: TC58NYG2S3EBAI5

      OMO.#: OMO-TC58NYG2S3EBAI5

      		 NAND Flash 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
      TC58NYG0S3EBAI4

      Mfr.#: TC58NYG0S3EBAI4

      OMO.#: OMO-TC58NYG0S3EBAI4-1151

      		 SLC NAND Flash Serial 1.8V 1Gbit 128M x 8bit 63-Pin TFBGA - Trays (Alt: TC58NYG0S3EBAI4)
      TC58NYG1S8EBAI4

      Mfr.#: TC58NYG1S8EBAI4

      OMO.#: OMO-TC58NYG1S8EBAI4-1190

      		 Nuevo y original
      TC58NYG1S8HBAI6/2GBIT

      Mfr.#: TC58NYG1S8HBAI6/2GBIT

      OMO.#: OMO-TC58NYG1S8HBAI6-2GBIT-1190

      		 Nuevo y original
      TC58NYG0S3HBAI6

      Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

      OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

      		 EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
      TC58NYG1S3HBAI4

      Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI4

      OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

      		 Flash Memory 2Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
      TC58NYG0S3EBAI4JRH

      Mfr.#: TC58NYG0S3EBAI4JRH

      OMO.#: OMO-TC58NYG0S3EBAI4JRH-1190

      		 Nuevo y original
      TC58NYG2S0HBAI4-ND

      Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI4-ND

      OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI4-ND-1190

      		 Nuevo y original
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      2500
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