TC58NYG0S3HBAI6

TC58NYG0S3HBAI6
Mfr. #:
TC58NYG0S3HBAI6
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TC58NYG0S3HBAI6 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
TC58NYG0S3HBAI6 más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
VFBGA-67
Tamaño de la memoria:
1 Gbit
Tipo de interfaz:
Parallel
Organización:
128 M x 8
Ancho del bus de datos:
8 bit
Voltaje de suministro - Min:
1.7 V
Voltaje de suministro - Máx:
1.95 V
Corriente de suministro - Máx .:
30 mA
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
NAND
Marca:
Memoria Toshiba
Frecuencia máxima de reloj:
-
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
NAND Flash
Cantidad de paquete de fábrica:
338
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
TC58NYG0, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***akorn
NAND Flash Serial 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA
***i-Key
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
***et
1Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
***S
vpe: 253/tray/bga
SLC NAND and BENAND
Toshiba SLC NAND and BENAND provide best-in-class endurance and data retention for sensitive or frequently used system data. Toshiba SLC are the optimal solution for long lasting products or systems working with extremely high data throughput between the host and the memory. 
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # TC58NYG0S3HBAI6-ND
Toshiba Semiconductor and Storage ProductsIC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray
Temporarily Out of Stock
  • 338:$2.8107
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba America Electronic Components1Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG0S3HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray
Americas - 0
  • 338:$2.1900
  • 676:$2.1900
  • 1352:$2.0900
  • 2028:$2.0900
  • 3380:$2.0900
TC58NYG0S3HBAI6
DISTI # 757-TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant
338
  • 1:$3.0600
  • 10:$2.7500
  • 50:$2.7000
  • 100:$2.4100
  • 250:$2.3400
  • 500:$2.3300
  • 1000:$2.1700
  • 2500:$2.1300
Imagen Parte # Descripción
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6

NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S3HBAI4_TRAY

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI4_TRAY

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI4-TRAY-1190

Nuevo y original
TC58NYG1S8HBAI6JD2

Mfr.#: TC58NYG1S8HBAI6JD2

OMO.#: OMO-TC58NYG1S8HBAI6JD2-1190

Nuevo y original
TC58NYG2S0FBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0FBAI4

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Nuevo y original
TC58NYG2S3ETAI0B3H

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OMO.#: OMO-TC58NYG2S3ETAI0B3H-1190

Nuevo y original
TC58NYG3S0FBAID

Mfr.#: TC58NYG3S0FBAID

OMO.#: OMO-TC58NYG3S0FBAID-1190

Nuevo y original
TC58NYG1S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

EEPROM 1.8V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6

Mfr.#: TC58NYG0S3HBAI6

OMO.#: OMO-TC58NYG0S3HBAI6-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG2S0HBAI4

Mfr.#: TC58NYG2S0HBAI4

OMO.#: OMO-TC58NYG2S0HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

Flash Memory 4Gb 1.8V SLC NAND Flash Serial EEPROM
TC58NYG1S3HBAI6-ND

Mfr.#: TC58NYG1S3HBAI6-ND

OMO.#: OMO-TC58NYG1S3HBAI6-ND-1190

Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
338
En orden:
2321
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Ext. Precio
1
2,77 US$
2,77 US$
10
2,49 US$
24,90 US$
25
2,45 US$
61,25 US$
50
2,44 US$
122,00 US$
100
2,18 US$
218,00 US$
250
2,11 US$
527,50 US$
500
2,10 US$
1 050,00 US$
1000
1,96 US$
1 960,00 US$
2500
1,87 US$
4 675,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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