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TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4
Mfr. #:
TH58NYG2S3HBAI4
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND EEPROM
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TH58NYG2S3HBAI4 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Toshiba
categoria de producto
Memoria
Tags
TH58NYG2, TH58NY, TH58N, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
SLC NAND Flash 1.8V 4Gbit 63-Pin BGA
***ronik
NAND-Flash 512Mx8 1.8V BGA63
***i-Key
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
TH58NYG2S3HBAI4
DISTI # TH58NYG2S3HBAI4-ND		Toshiba Semiconductor and Storage Products4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Temporarily Out of Stock
  • 210:$5.7350
TH58NYG2S3HBAI4
DISTI # TH58NYG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsSLC NAND Flash 1.8V 4Gbit 63-Pin BGA - Trays (Alt: TH58NYG2S3HBAI4)
RoHS: Compliant
Min Qty: 210
Container: Tray		Americas - 0
  • 210:$4.7900
  • 420:$4.6900
  • 840:$4.5900
  • 1260:$4.5900
  • 2100:$4.3900
TH58NYG2S3HBAI4
DISTI # 757-TH58NYG2S3HBAI4		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
RoHS: Compliant		210
  • 1:$7.7500
  • 10:$6.9800
  • 25:$6.3600
  • 100:$5.7400
  • 250:$5.2800
  • 500:$4.8100
  • 1000:$4.1900
Imagen Parte # Descripción
TH58NYG3S0HBAI4

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI4

 NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI4

 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG3S0HBAI6

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI6

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI6

 NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI6

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI6

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI6

 NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI4

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND EEPROM
TH58NYG3S0HBAI4

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI4-TOSHIBA-MEMORY-AMERICA

 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
TH58NYG4S0FBAID

Mfr.#: TH58NYG4S0FBAID

OMO.#: OMO-TH58NYG4S0FBAID-1190

 Nuevo y original
TH58NYG2S3HBAI4-ND

Mfr.#: TH58NYG2S3HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TH58NYG2S3HBAI4-ND-1190

 Nuevo y original
TH58NYG3S0HBAI4-ND

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI4-ND

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI4-ND-1190

 Nuevo y original
TH58NYG3S0HBAI6-ND

Mfr.#: TH58NYG3S0HBAI6-ND

OMO.#: OMO-TH58NYG3S0HBAI6-ND-1190

 Nuevo y original
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
3000
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El precio actual de TH58NYG2S3HBAI4 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
6,28 US$
6,28 US$
10
5,97 US$
59,71 US$
100
5,66 US$
565,65 US$
500
5,34 US$
2 671,15 US$
1000
5,03 US$
5 028,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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