TH58NYG2S3HBAI6

TH58NYG2S3HBAI6
Mfr. #:
TH58NYG2S3HBAI6
Fabricante:
Toshiba Memory
Descripción:
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TH58NYG2S3HBAI6 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
NAND Flash
RoHS:
Y
Estilo de montaje:
SMD / SMT
Paquete / Caja:
VFBGA-67
Tamaño de la memoria:
4 Gbit
Tipo de interfaz:
Parallel
Organización:
512 M x 8
Ancho del bus de datos:
8 bit
Voltaje de suministro - Min:
1.7 V
Voltaje de suministro - Máx:
1.95 V
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 85 C
Embalaje:
Bandeja
Tipo de memoria:
NAND
Marca:
Memoria Toshiba
Sensible a la humedad:
Yes
Tipo de producto:
NAND Flash
Cantidad de paquete de fábrica:
210
Subcategoría:
Memoria y almacenamiento de datos
Tags
TH58NYG2, TH58NY, TH58N, TH58, TH5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
Imagen Parte # Descripción
TH58NYG3S0HBAI4

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NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG2S3HBAI4

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NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58NYG3S0HBAI6

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NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND EEPROM
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8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V
TH58NYG4S0FBAID

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Nuevo y original
TH58NYG3S0HBAI4-ND

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NAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA
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210
4,10 US$
861,00 US$
420
4,08 US$
1 713,60 US$
630
3,82 US$
2 406,60 US$
1050
3,66 US$
3 843,00 US$
2520
3,43 US$
8 643,60 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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