DMTH6004SPSQ-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI5060-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.1 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

95.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

167 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Producto:

MOSFET

Serie:

DMTH6004

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de modo de mejora de canal N

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

31 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13.2 ns

Unidad de peso:

0.003386 oz

Tags

DMTH6004S, DMTH6004, DMTH600, DMTH60, DMTH6, DMTH, DMT