NE3515S02-A

NE3515S02-A
Mfr. #:
NE3515S02-A
Fabricante:
CEL
Descripción:
RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
NE3515S02-A Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
CEL
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Cortar cinta
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
S0-2
Tecnología
GaAs
Tipo transistor
pHEMT
Ganar
12.5 dB
Disipación de potencia Pd
165 mW
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 125 C
Frecuencia de operación
12 GHz
Id-corriente-de-drenaje-continua
88 mA
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
4 V
Transconductancia directa-Mín.
70 mS
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 3 V
Figura de ruido NF
0.3 dB
P1dB-Punto de compresión
14 dBm
Tags
NE3515, NE351, NE35, NE3
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans FET N-CH 4V 88mA 4-Pin Case S-02
***et
Trans JFET N-CH 4V 88mA 4-Pin Micro-X
***i-Key
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
NE3515S02-A
DISTI # NE3515S02-A-ND
California Eastern Laboratories (CEL)FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
RoHS: Compliant
Min Qty: 70
Container: Bulk
Limited Supply - Call
    NE3515S02-A
    DISTI # 551-NE3515S02-A
    California Eastern Laboratories (CEL)RF JFET Transistors X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMP N-CH
    RoHS: Compliant
    0
      Imagen Parte # Descripción
      NE3511S02A

      Mfr.#: NE3511S02A

      OMO.#: OMO-NE3511S02A-1190

      Trans JFET N-CH 4V 70mA 4-Pin Micro-X (Alt: NE3511S02A)
      NE3510M04-A

      Mfr.#: NE3510M04-A

      OMO.#: OMO-NE3510M04-A-CEL

      RF JFET Transistors L-S Band Lo No Amp
      NE3510M04-T2

      Mfr.#: NE3510M04-T2

      OMO.#: OMO-NE3510M04-T2-1190

      Nuevo y original
      NE3512S02

      Mfr.#: NE3512S02

      OMO.#: OMO-NE3512S02-1190

      Nuevo y original
      NE3512S02-T1

      Mfr.#: NE3512S02-T1

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1-1190

      Nuevo y original
      NE3512S02-T1D

      Mfr.#: NE3512S02-T1D

      OMO.#: OMO-NE3512S02-T1D-1190

      Nuevo y original
      NE3513M04

      Mfr.#: NE3513M04

      OMO.#: OMO-NE3513M04-1190

      Nuevo y original
      NE3513M04-T2-A

      Mfr.#: NE3513M04-T2-A

      OMO.#: OMO-NE3513M04-T2-A-CEL

      FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
      NE3514S02

      Mfr.#: NE3514S02

      OMO.#: OMO-NE3514S02-1190

      Nuevo y original
      NE3517S03-T1C-A

      Mfr.#: NE3517S03-T1C-A

      OMO.#: OMO-NE3517S03-T1C-A-CEL

      Trans JFET N-CH 4V 70mA GaAs HJFET 4-Pin Case S-03 T/R
      Disponibilidad
      Valores:
      Available
      En orden:
      1500
      Ingrese la cantidad:
      El precio actual de NE3515S02-A es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
      Precio de referencia (USD)
      Cantidad
      Precio unitario
      Ext. Precio
      1
      6,52 US$
      6,52 US$
      10
      6,20 US$
      61,99 US$
      100
      5,87 US$
      587,25 US$
      500
      5,55 US$
      2 773,15 US$
      1000
      5,22 US$
      5 220,00 US$
      Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
      Empezar con
      Nuevos productos
      Top