APT9M100B

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.4 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

80 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

335 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

10 S

Otoño:

10 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

40 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.229281 oz

Tags

APT9, APT