APT94N65B2C6

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

T-MAX-3

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

94 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

35 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

320 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

833 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

21.46 mm

Longitud:

16.26 mm

Ancho:

5.31 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

172 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

59 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

323 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

26 ns

Tags

APT94N65B, APT94N65, APT94, APT9, APT