FF1200R12KE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Módulos IGBT

RoHS:

N

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

1200 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.7 V

Corriente continua del colector a 25 C:

1200 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

400 nA

Pd - Disipación de energía:

5 kW

Paquete / Caja:

IHM 130X140-10

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Embalaje:

Bandeja

Altura:

38 mm

Longitud:

140 mm

Ancho:

130 mm

Marca:

Infineon Technologies

Estilo de montaje:

Montaje en chasis

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Tipo de producto:

Módulos IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

2

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

FF1200R12KE3NOSA1 SP000100572

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