IPB021N06N3 G

IPB021N06N3 G
Mfr. #:
IPB021N06N3 G
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IPB021N06N3 G Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Infineon Technologies
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
IPB021N06
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
IPB021N06N3GATMA1
Unidad de peso
0.139332 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TO-252-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
250 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 175 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
24 ns
Hora de levantarse
80 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
120 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
60 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
3 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
2.1 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
79 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
41 ns
Qg-Gate-Charge
206 nC
Transconductancia directa-Mín.
184 S 92 S
Modo de canal
Mejora
Tags
IPB021N06N3G, IPB021N06, IPB021, IPB02, IPB0, IPB
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IPB021N06N3GATMA1
DISTI # IPB021N06N3GATMA1TR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    IPB021N06N3GATMA1
    DISTI # IPB021N06N3GATMA1CT-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      IPB021N06N3GATMA1
      DISTI # IPB021N06N3GATMA1DKR-ND
      Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        IPB021N06N3 G
        DISTI # 726-IPB021N06N3G
        Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
        RoHS: Compliant
        0
          IPB021N06N3GInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
          RoHS: Compliant
          579
          • 1000:$1.6500
          • 500:$1.7300
          • 100:$1.8100
          • 25:$1.8800
          • 1:$2.0300
          Imagen Parte # Descripción
          IPB021N04N

          Mfr.#: IPB021N04N

          OMO.#: OMO-IPB021N04N-1190

          Nuevo y original
          IPB021N04NG

          Mfr.#: IPB021N04NG

          OMO.#: OMO-IPB021N04NG-1190

          Nuevo y original
          IPB021N04NGATMA1

          Mfr.#: IPB021N04NGATMA1

          OMO.#: OMO-IPB021N04NGATMA1-1190

          Nuevo y original
          IPB021N06N3

          Mfr.#: IPB021N06N3

          OMO.#: OMO-IPB021N06N3-1190

          Nuevo y original
          IPB021N06N3G

          Mfr.#: IPB021N06N3G

          OMO.#: OMO-IPB021N06N3G-1190

          Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
          IPB021N06N3GATMA1

          Mfr.#: IPB021N06N3GATMA1

          OMO.#: OMO-IPB021N06N3GATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

          MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
          IPB021N06N3 G

          Mfr.#: IPB021N06N3 G

          OMO.#: OMO-IPB021N06N3-G-126

          IGBT Transistors MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2
          Disponibilidad
          Valores:
          Available
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          5500
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          2,08 US$
          2,08 US$
          10
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          19,81 US$
          100
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          187,65 US$
          500
          1,77 US$
          886,15 US$
          1000
          1,67 US$
          1 668,00 US$
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