DN1509K1-G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-5

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

90 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

6 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

3.5 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

490 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Agotamiento

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.45 mm

Longitud:

2.9 mm

Ancho:

1.6 mm

Marca:

Tecnología de microchip

Otoño:

25 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

15 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

12 ns

Unidad de peso:

0.000222 oz

Tags

DN1509, DN150, DN15, DN1