IRF7509TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Micro-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

200 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

7.8 nC, 7.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.11 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

1.9 S, 0.92 S

Otoño:

5.3 ns, 9.3 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns, 12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns, 19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.7 ns, 9.7 ns

Parte # Alias:

SP001570444

Unidad de peso:

0.000901 oz

Tags

IRF7509TRP, IRF7509T, IRF7509, IRF750, IRF75, IRF7, IRF