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FDP8D5N10C

FDP8D5N10C
Mfr. #:
FDP8D5N10C
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
FDP8D5N10C Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
EN Semiconductor
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-220-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
100 V
Id - Corriente de drenaje continua:
76 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
8.5 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
2 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
34 nC
Temperatura mínima de funcionamiento:
- 55 C
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 175 C
Pd - Disipación de energía:
107 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Embalaje:
Tubo
Marca:
EN Semiconductor
Transconductancia directa - Mín .:
68 S
Otoño:
4 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
11 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
800
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
18 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
12 ns
Tags
FDP8, FDP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Japan
Transistor MOSFET N-CH 100V 76A 3-Pin TO-220 T/R
***emi
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Shielded Gate, 100V, 76A, 8.5mΩ N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET, 100V, 76A, 8.5mΩ
*** Stop Electro
Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
FDP8D5N10C
DISTI # V99:2348_21690361		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL730
  • 250:$2.5430
  • 100:$2.7050
  • 10:$3.1420
  • 1:$4.1074
FDP8D5N10C
DISTI # V36:1790_21690361		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL0
    FDP8D5N10C
    DISTI # FDP8D5N10C-ND    		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL
    RoHS: Not compliant
    Min Qty: 800
    Container: Tube    		Temporarily Out of Stock
    • 800:$2.4784
    FDP8D5N10C
    DISTI # 32434297    		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL2400
    • 800:$2.6037
    FDP8D5N10C
    DISTI # 31442392    		ON SemiconductorFET ENGR DEV-NOT REL730
    • 500:$2.4306
    • 250:$2.7337
    • 100:$2.9079
    • 10:$3.3777
    • 4:$4.4155
    FDP8D5N10C
    DISTI # FDP8D5N10C    		ON SemiconductorShielded Gate PowerTrench MOSFET N-Channel 100V 76A 8.5m Ohm 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: FDP8D5N10C)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 800
    Container: Tube    		Americas - 0
    • 4800:$1.6900
    • 8000:$1.6900
    • 800:$1.7900
    • 1600:$1.7900
    • 3200:$1.7900
    FDP8D5N10C
    DISTI # 65AC4708    		ON SemiconductorFDP8D5N10C0
    • 500:$1.8500
    • 250:$1.9100
    • 100:$2.2800
    • 50:$2.6300
    • 25:$2.8100
    • 10:$3.2000
    • 1:$3.7000
    FDP8D5N10C
    DISTI # 863-FDP8D5N10C    		ON SemiconductorMOSFET FET 100V 76A 8.5 mOhm
    RoHS: Compliant    		349
    • 1:$3.7600
    • 10:$3.1900
    • 100:$2.7700
    • 250:$2.6300
    • 500:$2.3600
    • 1000:$1.9900
    • 2500:$1.8900
    FDP8D5N10C
    DISTI # 1811860    		ON SemiconductorFET 100V 8.5 MOHM, TU800
    • 1600:£1.6080
    • 800:£1.7430
    Imagen Parte # Descripción
    AT24CM02-SSHD-T

    Mfr.#: AT24CM02-SSHD-T

    OMO.#: OMO-AT24CM02-SSHD-T

    		 EEPROM 2.5-5.5V, 1MHz, Ind Tmp, 8-SOIC-N
    SIHG47N60AEF-GE3

    Mfr.#: SIHG47N60AEF-GE3

    OMO.#: OMO-SIHG47N60AEF-GE3

    		 MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
    RB168MM150TFTR

    Mfr.#: RB168MM150TFTR

    OMO.#: OMO-RB168MM150TFTR

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 150V VR 1A 0.84V VF PMDU; SOD-123FL
    V30100CI-M3/P

    Mfr.#: V30100CI-M3/P

    OMO.#: OMO-V30100CI-M3-P

    		 Schottky Diodes & Rectifiers 100V 30A TO-220AB TMBS
    SRP2313AA-220M

    Mfr.#: SRP2313AA-220M

    OMO.#: OMO-SRP2313AA-220M

    		 Fixed Inductors 22uH 20% 18A AEC-Q200
    PA-T2X-38E

    Mfr.#: PA-T2X-38E

    OMO.#: OMO-PA-T2X-38E

    		 Heat Sinks 38mm Heatsink Anodized
    SRP2313AA-100M

    Mfr.#: SRP2313AA-100M

    OMO.#: OMO-SRP2313AA-100M

    		 Fixed Inductors 10uH 20% 30A AEC-Q200
    VS-8TQ100-M3

    Mfr.#: VS-8TQ100-M3

    OMO.#: OMO-VS-8TQ100-M3-VISHAY

    		 DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO220AC
    RB168MM150TFTR

    Mfr.#: RB168MM150TFTR

    OMO.#: OMO-RB168MM150TFTR-ROHM-SEMI

    		 RB168MM150TF IS THE HIGH RELIABI
    AT24CM02-SSHD-T

    Mfr.#: AT24CM02-SSHD-T

    OMO.#: OMO-AT24CM02-SSHD-T-MICROCHIP-TECHNOLOGY

    		 IC EEPROM 2M I2C 1MHZ 8SOIC
    Disponibilidad
    Valores:
    349
    En orden:
    2332
    Ingrese la cantidad:
    El precio actual de FDP8D5N10C es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
    Precio de referencia (USD)
    Cantidad
    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    3,76 US$
    3,76 US$
    10
    3,19 US$
    31,90 US$
    100
    2,77 US$
    277,00 US$
    250
    2,63 US$
    657,50 US$
    500
    2,36 US$
    1 180,00 US$
    1000
    1,99 US$
    1 990,00 US$
    2500
    1,89 US$
    4 725,00 US$
    5000
    1,82 US$
    9 100,00 US$
    Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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