STB10N65K3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

750 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

42 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

150 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SuperMesh

Embalaje:

Carrete

Serie:

STB10N65K3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

35 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

14 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

44 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

14.5 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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