STGWT40H60DLFB

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

TO-3P

Estilo de montaje:

A través del orificio

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

600 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.6 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Corriente continua del colector a 25 C:

80 A

Pd - Disipación de energía:

283 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Serie:

STGWT40H60DLFB

Embalaje:

Tubo

Corriente continua de colector Ic Max:

40 A

Marca:

STMicroelectronics

Corriente de fuga puerta-emisor:

250 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

300

Subcategoría:

IGBT

Unidad de peso:

0.238311 oz

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