DMG4435SSS-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

20 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

35.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMG4435

Tipo de transistor:

P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

22 S

Otoño:

22.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

12.7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

44.9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8.6 ns

Unidad de peso:

0.002610 oz

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