SPD04P10P G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

644 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

12 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

38 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

SIPMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Serie:

SPD04P10

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

1.2 S

Otoño:

4.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

14 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.7 ns

Parte # Alias:

SP000212230 SPD04P10PGBTMA1 SPD4P1PGXT

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

SPD04P10PG, SPD04P, SPD04, SPD0, SPD