BSC190N12NS3 G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

120 V

Id - Corriente de drenaje continua:

44 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

19 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

26 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

69 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS 3

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

OptiMOS 3 Power-Transistor

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

45 S, 23 S

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Parte # Alias:

BSC190N12NS3GATMA1 BSC19N12NS3GXT SP000652752

Tags

BSC190N12, BSC190N1, BSC190, BSC19, BSC1, BSC