TPS1101DR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOIC-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

15 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

2 V, - 15 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 125 C

Pd - Disipación de energía:

791 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

TPS1101

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

Conmutadores PMOS

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Otoño:

5.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

19 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.5 ns

Unidad de peso:

0.002677 oz

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