FQP8N60C

FQP8N60C
Mfr. #:
FQP8N60C
Fabricante:
ON Semiconductor
Descripción:
IGBT Transistors MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
FQP8N60C Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
FSC
categoria de producto
FET - Single
embalaje
Tubo
Alias ​​de parte
FQP8N60C_NL
Unidad de peso
0.063493 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
TO-220-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
147 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
64.5 ns
Hora de levantarse
60.5 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
30 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
7.5 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
1.2 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
81 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
16.5 ns
Transconductancia directa-Mín.
8.7 S
Modo de canal
Mejora
Tags
FQP8N60C, FQP8N60, FQP8N6, FQP8N, FQP8, FQP
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
FQP8N60C
DISTI # FQP8N60C-ND
ON SemiconductorMOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
1000In Stock
  • 1000:$1.0170
  • 500:$1.2274
  • 100:$1.5781
  • 10:$1.9640
  • 1:$2.1700
FQP8N60C
DISTI # FQP8N60C
ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: FQP8N60C)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube
Americas - 0
  • 1000:$0.7599
  • 2000:$0.7559
  • 4000:$0.7459
  • 6000:$0.7359
  • 10000:$0.7179
FQP8N60C
DISTI # 97K0198
ON SemiconductorMOSFET, N, TO-220,Transistor Polarity:N Channel,Continuous Drain Current Id:7.5A,Drain Source Voltage Vds:600V,On Resistance Rds(on):1ohm,Rds(on) Test Voltage Vgs:10V,Threshold Voltage Vgs:4V,Power Dissipation Pd:147W,MSL:- , RoHS Compliant: Yes0
  • 1:$1.8700
  • 10:$1.5900
  • 100:$1.2700
  • 500:$1.1100
  • 1000:$0.9250
  • 2500:$0.8610
  • 5000:$0.8290
FQP8N60CFairchild Semiconductor CorporationPower Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
RoHS: Compliant
43736
  • 1000:$1.0600
  • 500:$1.1200
  • 100:$1.1600
  • 25:$1.2100
  • 1:$1.3000
FQP8N60C
DISTI # 512-FQP8N60C
ON SemiconductorMOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS: Compliant
926
  • 1:$1.8700
  • 10:$1.5900
  • 100:$1.2700
  • 500:$1.1100
  • 1000:$0.9250
  • 2000:$0.8610
  • 5000:$0.8290
  • 10000:$0.7970
FQP8N60C_Q
DISTI # 512-FQP8N60C_Q
ON SemiconductorMOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
RoHS: Not compliant
0
    FQP8N60C
    DISTI # 1095074
    ON SemiconductorMOSFET, N, TO-220
    RoHS: Compliant
    47
    • 5:£1.1600
    • 25:£1.0600
    • 100:£0.8100
    • 250:£0.7630
    • 500:£0.7160
    FQP8N60C
    DISTI # 1095074
    ON SemiconductorMOSFET, N, TO-220
    RoHS: Compliant
    52
    • 1:$1.5100
    FQP8N60C
    DISTI # XSFP00000021118
    Fairchild Semiconductor Corporation 
    RoHS: Compliant
    3365
    • 1000:$1.8700
    • 3365:$1.7000
    Imagen Parte # Descripción
    FQP85N06

    Mfr.#: FQP85N06

    OMO.#: OMO-FQP85N06

    MOSFET 60V N-Channel QFET
    FQP8N60C

    Mfr.#: FQP8N60C

    OMO.#: OMO-FQP8N60C

    MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
    FQP80N06

    Mfr.#: FQP80N06

    OMO.#: OMO-FQP80N06-1190

    Nuevo y original
    FQP80N08

    Mfr.#: FQP80N08

    OMO.#: OMO-FQP80N08-1190

    Nuevo y original
    FQP8N50

    Mfr.#: FQP8N50

    OMO.#: OMO-FQP8N50-1190

    Nuevo y original
    FQP8N60C,8N60C,

    Mfr.#: FQP8N60C,8N60C,

    OMO.#: OMO-FQP8N60C-8N60C--1190

    Nuevo y original
    FQP8N65C

    Mfr.#: FQP8N65C

    OMO.#: OMO-FQP8N65C-1190

    Nuevo y original
    FQP8N90C

    Mfr.#: FQP8N90C

    OMO.#: OMO-FQP8N90C-ON-SEMICONDUCTOR

    MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220
    FQP8N60C

    Mfr.#: FQP8N60C

    OMO.#: OMO-FQP8N60C-ON-SEMICONDUCTOR

    IGBT Transistors MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
    FQP8N60C_Q

    Mfr.#: FQP8N60C_Q

    OMO.#: OMO-FQP8N60C-Q-1190

    MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
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    Valores:
    Available
    En orden:
    1000
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    Precio de referencia (USD)
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    Precio unitario
    Ext. Precio
    1
    1,03 US$
    1,03 US$
    10
    0,97 US$
    9,75 US$
    100
    0,92 US$
    92,33 US$
    500
    0,87 US$
    436,00 US$
    1000
    0,82 US$
    820,70 US$
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