CGHV14250F

CGHV14250F
Mfr. #:
CGHV14250F
Fabricante:
N/A
Descripción:
RF MOSFET HEMT 50V 440162
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
CGHV14250F Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Más información:
CGHV14250F más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Velocidad de lobo / Cree
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Tubo
Estilo de montaje
Tornillo
Rango de temperatura de funcionamiento
-
Paquete-Estuche
440162
Tecnología
GaN SiC
Configuración
Único
Tipo transistor
HEMT
Ganar
18.6 dB
Clase
-
Potencia de salida
330 W
Disipación de potencia Pd
-
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 130 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 40 C
Solicitud
-
Frecuencia de operación
1.2 GHz to 1.4 GHz
Id-corriente-de-drenaje-continua
18 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
150 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 3 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
-
Polaridad del transistor
Canal N
Transconductancia directa-Mín.
-
Kit de desarrollo
CGHV14250F-TB
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 10 V to + 2 V
Tensión de corte de fuente de puerta
-
Voltaje de puerta de drenaje máximo
-
Figura de ruido NF
-
P1dB-Punto de compresión
-
Tags
CGHV142, CGHV14, CGHV1, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***o-Tech
- 250W, 1200 - 1400MHz, GaN HEMT Flange Package
***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V 440162
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
CGHV14250F
DISTI # CGHV14250F-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V 440162
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
59In Stock
  • 1:$367.8300
CGHV14250F-TB
DISTI # CGHV14250F-TB-ND
WolfspeedTEST FIXTURE FOR CGHV14250
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Box
5In Stock
  • 1:$550.0000
CGHV14250F
DISTI # 941-CGHV14250F
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
RoHS: Compliant
1
  • 1:$367.8300
CGHV14250F-TB
DISTI # 941-CGHV14250F-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
2
  • 1:$550.0000
Imagen Parte # Descripción
CGHV1F025S

Mfr.#: CGHV1F025S

OMO.#: OMO-CGHV1F025S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
CGHV1F006S

Mfr.#: CGHV1F006S

OMO.#: OMO-CGHV1F006S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1F006S-AMP3

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP3

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP3

RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP1

RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP1-WOLFSPEED

DEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F006S
CGHV1F025S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F025S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F025S-AMP1-WOLFSPEED

DEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F025S
CGHV14500F

Mfr.#: CGHV14500F

OMO.#: OMO-CGHV14500F-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W GaN Gain 17.1dB
CGHV1J025D

Mfr.#: CGHV1J025D

OMO.#: OMO-CGHV1J025D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB
CGHV1J070D

Mfr.#: CGHV1J070D

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 70 Watts Gain 17dB @10GHz
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4500
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El precio actual de CGHV14250F es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
551,74 US$
551,74 US$
10
524,16 US$
5 241,58 US$
100
496,57 US$
49 657,05 US$
500
468,98 US$
234 491,65 US$
1000
441,40 US$
441 396,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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