CGHV1F006S

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Cree, Inc.

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN

Ganar:

16 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 10 V to 2 V

Id - Corriente de drenaje continua:

950 mA

Potencia de salida:

6 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

-

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-12

Embalaje:

Carrete

Solicitud:

-

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

18 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 150 C

Marca:

Velocidad de lobo / Cree

Transconductancia directa - Mín .:

-

Voltaje de corte de puerta-fuente:

-

Clase:

-

Sensible a la humedad:

Yes

NF - Figura de ruido:

-

P1dB - Punto de compresión:

-

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

-

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 3 V

Tags

CGHV1F00, CGHV1F, CGHV1, CGHV, CGH