IPG16N10S4L61AATMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

16 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

78 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

11 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

29 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

5 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2 ns

Parte # Alias:

IPG16N10S4L-61A SP001102932

Tags

IPG16, IPG1, IPG