IXTQ22N50P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3P

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

22 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

270 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

50 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

350 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.3 mm

Longitud:

15.8 mm

Serie:

IXTQ22N50

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.9 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

12 S

Otoño:

21 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

25 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

72 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

22 ns

Unidad de peso:

0.194007 oz

Tags

IXTQ22N5, IXTQ22N, IXTQ22, IXTQ2, IXTQ, IXT