SI3552DV-T1-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.5 A, 1.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

105 mOhms, 200 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3.2 nC, 3.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.15 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI3

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

4.3 S, 2.4 S

Otoño:

5 ns, 7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9 ns, 12 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns, 12 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns, 8 ns

Parte # Alias:

SI3552DV-GE3

Unidad de peso:

0.000705 oz

Tags

SI3552DV-T, SI3552D, SI3552, SI355, SI35, SI3