BSO615CGHUMA1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.1 A, 2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

70 mOhms, 190 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V, 2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

22.5 nC, 20 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Serie:

BSO615

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

2.25 S, 1.2 S

Otoño:

18 ns, 90 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

75 ns, 105 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns, 125 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

16 ns, 24 ns

Parte # Alias:

BSO615C BSO615CGXT G SP000216311

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

BSO615CG, BSO615C, BSO615, BSO61, BSO6, BSO