SI4943CDY-T1-E3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

19.2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

62 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

3.1 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchFET

Embalaje:

Carrete

Serie:

SI4

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

19 S

Otoño:

15 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

71 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

29 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

50 ns

Parte # Alias:

SI4943CDY-E3

Unidad de peso:

0.006596 oz

Tags

SI4943C, SI4943, SI494, SI49, SI4