FDBL86566-F085

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

H-PSOF-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

240 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.5 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

80 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

300 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.4 mm

Longitud:

10.48 mm

Serie:

FDBL86566_F085

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.9 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

29 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

39 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

37 ns

Parte # Alias:

FDBL86566_F085

Unidad de peso:

0.029985 oz

Tags

FDBL865, FDBL8, FDBL, FDB