BSC883N03LS G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

34 V

Id - Corriente de drenaje continua:

98 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3.8 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

BSC883N03

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.4 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.4 ns

Parte # Alias:

BSC883N03LSGATMA1 BSC883N3LSGXT SP000507422

Tags

BSC883N03LSG, BSC883N03L, BSC883, BSC8, BSC