CSD18531Q5AT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSONP-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

134 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

43 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

156 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

CSD18531Q5A

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.9 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

128 S

Kit de desarrollo:

DRV8711EVM

Otoño:

2.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

20 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.4 ns

Unidad de peso:

0.000847 oz

Tags

CSD1853, CSD185, CSD18, CSD1, CSD