STL20N6F7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

5.4 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

25 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

78 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

STripFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

STL20N6F7

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

7.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

17.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Unidad de peso:

0.000988 oz

Tags

STL20N, STL20, STL2, STL