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BSG0813NDI

BSG0813NDI
Mfr. #:
BSG0813NDI
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
BSG0813NDI Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Infineon Technologies
categoria de producto
FET: matrices
Serie
*
embalaje
Tape & Reel (TR)
Alias ​​de parte
BSG0813NDI SP001241676
Paquete-Estuche
8-PowerTDFN
Tecnología
Si
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 155°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Paquete de dispositivo de proveedor
PG-TISON-8
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Potencia máxima
2.5W
Drenaje-a-fuente-voltaje-Vdss
25V
Entrada-Capacitancia-Ciss-Vds
1100pF @ 12V
Función FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Corriente-Continuo-Drenaje-Id-25 ° C
19A, 33A
Rds-On-Max-Id-Vgs
3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs-th-Max-Id
2V @ 250μA
Puerta-Carga-Qg-Vgs
8.4nC @ 4.5V
Tags
BSG0813NDI, BSG0813, BSG08, BSG0, BSG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
BSG0813NDIATMA1
DISTI # 31074350		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 25V 31A/50A T/R
RoHS: Compliant		5000
  • 5000:$1.0382
BSG0813NDIATMA1
DISTI # BSG0813NDIATMA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 5000:$1.0193
BSG0813NDIATMA1
DISTI # C1S322000625084		Infineon Technologies AGMOSFETs5000
  • 5000:$0.9720
BSG0813NDIATMA1
DISTI # BSG0813NDI		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 25V 19A/33A 10-Pin TISON8-4 T/R (Alt: BSG0813NDI)
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape and Reel		Asia - 0
    BSG0813NDIATMA1
    DISTI # BSG0813NDIATMA1    		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 25V 19A/33A 10-Pin TISON8-4 T/R - Tape and Reel (Alt: BSG0813NDIATMA1)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 5000
    Container: Reel    		Americas - 0
    • 5000:$1.0269
    • 10000:$0.9899
    • 20000:$0.9539
    • 30000:$0.9219
    • 50000:$0.9049
    BSG0813NDIATMA1
    DISTI # 726-BSG0813NDIATMA1    		Infineon Technologies AGMOSFET LV POWER MOS
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$2.1000
    • 10:$1.7900
    • 100:$1.4300
    • 500:$1.2500
    • 1000:$1.0400
    • 2500:$0.9630
    • 5000:$0.9270
    Imagen Parte # Descripción
    BSG0811ND

    Mfr.#: BSG0811ND

    OMO.#: OMO-BSG0811ND

    		 MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
    BSG0810NDIATMA1

    Mfr.#: BSG0810NDIATMA1

    OMO.#: OMO-BSG0810NDIATMA1

    		 MOSFET LV POWER MOS
    BSG0813NDIATMA1

    Mfr.#: BSG0813NDIATMA1

    OMO.#: OMO-BSG0813NDIATMA1

    		 MOSFET LV POWER MOS
    BSG0810ND

    Mfr.#: BSG0810ND

    OMO.#: OMO-BSG0810ND-1190

    		 Nuevo y original
    BSG0810NDIATMA1

    Mfr.#: BSG0810NDIATMA1

    OMO.#: OMO-BSG0810NDIATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

    		 MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
    BSG0811ND(SP001075902)

    Mfr.#: BSG0811ND(SP001075902)

    OMO.#: OMO-BSG0811ND-SP001075902--1190

    		 Nuevo y original
    BSG0811NDI

    Mfr.#: BSG0811NDI

    OMO.#: OMO-BSG0811NDI-1190

    		 Nuevo y original
    BSG0813ND1

    Mfr.#: BSG0813ND1

    OMO.#: OMO-BSG0813ND1-1190

    		 Nuevo y original
    BSG0811NDATMA1-CUT TAPE

    Mfr.#: BSG0811NDATMA1-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-BSG0811NDATMA1-CUT-TAPE-1190

    		 Nuevo y original
    BSG0813NDIATMA1-CUT TAPE

    Mfr.#: BSG0813NDIATMA1-CUT TAPE

    OMO.#: OMO-BSG0813NDIATMA1-CUT-TAPE-1190

    		 Nuevo y original
    Disponibilidad
    Valores:
    Available
    En orden:
    5500
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    El precio actual de BSG0813NDI es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
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    Ext. Precio
    1
    0,00 US$
    0,00 US$
    10
    0,00 US$
    0,00 US$
    100
    0,00 US$
    0,00 US$
    500
    0,00 US$
    0,00 US$
    1000
    0,00 US$
    0,00 US$
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