BSG0811ND

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TISON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

50 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.4 mOhms, 700 uOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

8.4 nC, 29 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

6.25 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.15 mm

Longitud:

6 mm

Serie:

OptiMOS 5

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

46 S, 90 S

Otoño:

1.4 ns, 2.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

4.7 ns, 4.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4.3 ns, 8.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.3 ns, 5.6 ns

Parte # Alias:

BSG0811NDATMA1 SP001075902

Unidad de peso:

0.008113 oz

Tags

BSG0811, BSG08, BSG0, BSG