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SI7652DP-T1-GE3

SI7652DP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7652DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7652DP-T1-GE3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay / Siliconix
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7652DP-GE3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
3.9 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
14 ns
Hora de levantarse
12 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
25 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
15 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
18.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
32 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
7 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7652, SI765, SI76, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ment14 APAC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC
***ark
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:15000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.030ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:25V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation, Pd:3.9W ;RoHS Compliant: Yes
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7652DP-T1-GE3
DISTI # 781-SI7652DP-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.4480
  • 6000:$0.4260
  • 9000:$0.4100
SI7652DP-T1-GE3
DISTI # 2478974		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC
RoHS: Compliant		0
  • 3000:£1.0960
SI7652DP-T1-GE3
DISTI # 2478974		Vishay IntertechnologiesN CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$1.7600
Imagen Parte # Descripción
SI7652DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3

 MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
SI7652DP-T1-GE3

Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
SI7652DP-T1-E3

Mfr.#: SI7652DP-T1-E3

OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-E3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
4000
Ingrese la cantidad:
El precio actual de SI7652DP-T1-GE3 es solo de referencia, si desea obtener el mejor precio, envíe una consulta o envíe un correo electrónico directo a nuestro equipo de ventas [email protected]
Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
0,62 US$
0,62 US$
10
0,58 US$
5,84 US$
100
0,55 US$
55,35 US$
500
0,52 US$
261,40 US$
1000
0,49 US$
492,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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