SI7652DP-T1-E3

SI7652DP-T1-E3
Mfr. #:
SI7652DP-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
SI7652DP-T1-E3 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
Vishay / Siliconix
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
embalaje
Carrete
Alias ​​de parte
SI7652DP-E3
Unidad de peso
0.017870 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
SO-8
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
3.9 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
14 ns
Hora de levantarse
12 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
25 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
15 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
18.5 mOhms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
32 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
7 ns
Modo de canal
Mejora
Tags
SI7652, SI765, SI76, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***C
MOSFET 30V 15A 3.9W
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
SI7652DP-T1-E3
DISTI # 781-SI7652DP-E3
Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 15A 3.9W
RoHS: Compliant
0
    SI7652DP-T1-E3Vishay Intertechnologies 253
      Imagen Parte # Descripción
      SI7652DP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3

      MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
      SI7652DP-T1-GE3

      Mfr.#: SI7652DP-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-GE3-317

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V
      SI7652DP-T1-E3

      Mfr.#: SI7652DP-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7652DP-T1-E3-317

      RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W
      Disponibilidad
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      Available
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