NX3008CBKV,115

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-666-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

400 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms, 2.8 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

900 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

170 pC, 230 pC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Calificación:

AEC-Q101

Embalaje:

Carrete

Producto:

MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Escribe:

MOSFET de trinchera

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

310 mS, 160 mS

Otoño:

19 ns, 38 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

30 ns, 11 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

69 ns, 65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns, 19 ns

Tags

NX3008CBKV, NX3008C, NX3008, NX300, NX30, NX3