QPD1000

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Qorvo

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN SiC

Ganar:

19 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

28 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

817 mA

Potencia de salida:

24 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 85 C

Pd - Disipación de energía:

28.8 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

QFN-8

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

30 MHz to 1.215 GHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 40 C to + 85 C

Serie:

QPD

Marca:

Qorvo

Kit de desarrollo:

QPD1000PCB401, QPD1000PCB402

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

100

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

- 2.8 V

Parte # Alias:

1131140

Tags

QPD100, QPD10, QPD1, QPD