IRFB4019PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

17 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.9 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

80 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Altura:

15.65 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.4 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

14 S

Otoño:

7.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

12 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

7 ns

Parte # Alias:

SP001572370

Unidad de peso:

0.211644 oz

Tags

IRFB4019P, IRFB401, IRFB40, IRFB4, IRFB, IRF