HGTD7N60C3S9A

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

TO-252AA-3

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

600 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.6 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Corriente continua del colector a 25 C:

14 A

Pd - Disipación de energía:

60 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

HGTD7N60C3S

Embalaje:

Carrete

Corriente continua de colector Ic Max:

14 A

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.6 mm

Ancho:

6.1 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corriente continua del colector:

14 A

Corriente de fuga puerta-emisor:

+/- 250 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

IGBT

Parte # Alias:

HGTD7N60C3S9A_NL

Unidad de peso:

0.009184 oz

Tags

HGTD7N60C3S, HGTD7N60C, HGTD7, HGTD, HGT