DMN3016LDN-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

V-DFN3030-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

24 mOhms, 24 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

25.1 nC, 25.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.6 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Modo de mejora MOSFET

Serie:

DMN3016

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

Modo de mejora MOSFET

Ancho:

3 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

5.6 ns, 5.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

16.5 ns, 16.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26.1 ns, 26.1 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.8 ns, 4.8 ns

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DMN3016LDN, DMN3016LD, DMN3016, DMN301, DMN30, DMN3, DMN