IRF7601PBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Micro-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

5.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

35 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

700 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

14 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

1.11 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

6.1 S

Otoño:

32 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

47 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

80

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

24 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.1 ns

Parte # Alias:

SP001551458

Tags

IRF7601, IRF760, IRF76, IRF7, IRF