IRF7604TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Micro-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

13 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.11 mm

Longitud:

3 mm

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

3 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

2.6 S

Otoño:

38 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

53 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

31 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

17 ns

Parte # Alias:

SP001554362

Unidad de peso:

0.070548 oz

Tags

IRF7604T, IRF7604, IRF760, IRF76, IRF7, IRF