IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2
Mfr. #:
IXTP1R6N50D2
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXTP1R6N50D2 Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
IXTP1R6N50
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.081130 oz
Estilo de montaje
A través del orificio
Paquete-Estuche
TO-220-3
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
100 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
41 ns
Hora de levantarse
70 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
20 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
1.6 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
500 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
2.3 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
35 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
25 ns
Qg-Gate-Charge
23.7 nC
Transconductancia directa-Mín.
1.75 S
Modo de canal
Agotamiento
Tags
IXTP1R6, IXTP1R, IXTP1, IXTP, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***p One Stop Global
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
***ukat
N-Ch 500V 1,6A 100W 2,3R TO220AB
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXTP1R6N50D2
DISTI # V99:2348_15878607
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
RoHS: Compliant
50
  • 100:$1.4842
  • 25:$1.5304
  • 10:$1.7195
  • 1:$1.9252
IXTP1R6N50D2
DISTI # IXTP1R6N50D2-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
165In Stock
  • 1000:$1.1803
  • 500:$1.4245
  • 100:$1.8315
  • 50:$2.0350
  • 1:$2.5200
IXTP1R6N50D2
DISTI # 25894697
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
RoHS: Compliant
50
  • 25:$1.5085
  • 10:$1.6930
  • 7:$1.8951
IXTP1R6N50D2
DISTI # 747-IXTP1R6N50D2
IXYS CorporationMOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
RoHS: Compliant
0
  • 50:$1.9400
  • 100:$1.9200
  • 250:$1.5500
  • 500:$1.4900
  • 1000:$1.2300
  • 2500:$1.0400
IXTP1R6N50D2
DISTI # C1S331700108636
IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
RoHS: Compliant
50
  • 25:$1.5085
  • 10:$1.6930
Imagen Parte # Descripción
IXTP1R4N100P

Mfr.#: IXTP1R4N100P

OMO.#: OMO-IXTP1R4N100P

MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds
IXTP1R6N100D2

Mfr.#: IXTP1R6N100D2

OMO.#: OMO-IXTP1R6N100D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
IXTP1R6N50D2

Mfr.#: IXTP1R6N50D2

OMO.#: OMO-IXTP1R6N50D2

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
IXTP1R6N50D2

Mfr.#: IXTP1R6N50D2

OMO.#: OMO-IXTP1R6N50D2-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
IXTP1R4N100P

Mfr.#: IXTP1R4N100P

OMO.#: OMO-IXTP1R4N100P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds
IXTP1R6N100D2

Mfr.#: IXTP1R6N100D2

OMO.#: OMO-IXTP1R6N100D2-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
IXTP1R4N60P

Mfr.#: IXTP1R4N60P

OMO.#: OMO-IXTP1R4N60P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds
IXTP1R6N50P

Mfr.#: IXTP1R6N50P

OMO.#: OMO-IXTP1R6N50P-IXYS-CORPORATION

IGBT Transistors MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
IXTP1R4N120P

Mfr.#: IXTP1R4N120P

OMO.#: OMO-IXTP1R4N120P-IXYS-CORPORATION

MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
2000
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
1,56 US$
1,56 US$
10
1,48 US$
14,82 US$
100
1,40 US$
140,40 US$
500
1,33 US$
663,00 US$
1000
1,25 US$
1 248,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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