IXTP1R4N100P

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

1 kV

Id - Corriente de drenaje continua:

1.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

63 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

9.15 mm

Longitud:

10.66 mm

Serie:

IXTP1R4N100

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

35 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

65 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

25 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP1R4, IXTP1R, IXTP1, IXTP, IXT